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摘要
本发明公开了一种适用于存储单元的具备独立三栅结构的新型FinFET器件,该器件结构包括：衬底、氧化物层、鳍形结构、栅极金属层、栅极介质层及侧墙,栅极介质层包括：设置在鳍形结构左侧的左侧栅极介质层、设置在鳍形结构右侧的右侧栅极介质层、以及设置在鳍形结构顶部的顶部栅极介质层,顶部栅极介质层为U形,由于采用U型结构的栅极介质层,降低了顶部栅极金属层与底部栅极金属层之间的寄生电容,提高了顶部栅极金属层对沟道的控制能力。本发明提出的具备独立三栅结构的新型FinFET器件表现出的栅控特性,可实现SRAM存储单元所需的较高读取静态噪声容限和写入能力,并有效提高SRAM的读写稳定性,从而进一步提高静态存储电路的性能。
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