1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究

作者：黄帅; 张伟; 席琪; 赵新华; 谢修敏; 徐强; 周强; 宋海智^*

来源：激光技术, 2020, 44(05): 532-537.

• 光学器件
• 鲁棒性
• 有限时域差分法
• 微腔
• 单光子源
• 通信波段

为了评估实际制备中工艺偏差对此前设计的Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响,采用了基于有限时域差分法的模拟仿真,从工艺缺陷以及工艺误差两个角度,模拟了非理想工艺条件对Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响。结果表明,在目前可达到的加工精度下,如椭圆因子为0.1、锥形侧壁角度为3°、尺寸误差为5%,Si/SiO2-InP微柱腔仍能保持满足应用需求的性能,证明了设计的1.55μm量子点单光子源有很高的鲁棒性。该研究为通信波段单光子源提供了切实可行的方案。

• 单位
  电子科技大学; 西南技术物理研究所