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摘要
采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料,基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器.测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线,研究了器件的激光特性.器件激射频率约2.95 THz,脉冲模式下,最高工作温度为67 K.连续波模式下,阈值电流密度最低为230 A/cm2,最大光输出功率1.2 mW,最高工作温度为30 K.
- 单位
采用气源分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs束缚态向连续态跃迁的太赫兹量子级联激光器材料,基于半绝缘等离子体波导工艺制作了太赫兹量子级联激光器.测量了激光器的发射光谱和功率-电流-电压关系曲线,研究了器件的激光特性.器件激射频率约2.95 THz,脉冲模式下,最高工作温度为67 K.连续波模式下,阈值电流密度最低为230 A/cm2,最大光输出功率1.2 mW,最高工作温度为30 K.
