TiN薄膜制备方法、性能及其在OLED方面应用的研究

作者:张阳; 吕军锋; 杨建兵; 吴远武; 刘腾飞
来源:光电子技术, 2018, 38(03): 190-194.
DOI:10.19453/j.cnki.1005-488x.2018.03.008

摘要

基于磁控溅射法制备用于OLED器件阳极的TiNx薄膜电极。研究了N2流量和溅射功率对TiNx薄膜电阻率和反射率的影响。采用四探针、光学光度计、SEM等测试手段对TiNx薄膜进行了表征。结果表明,TiNx薄膜电阻率为35.6μΩ·cm时性能最佳,制作的OLED器件在5V电压下亮度可到22 757cd/m2。

全文