半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术

作者：程俊红^*; 肖震霞

来源：电源学报, 2020, 18(04): 193-199.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2020.4.193

• 半导体GaN
• 功率开关器件
• 击穿机理
• 灵敏度
• 通道衰减值
• 测试技术

测试半导体GaN功率开关器件灵敏度对掌握器件性能具有重要意义,提出一种新型半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。通过分析半导体GaN功率开关器件的导通电阻与击穿电压关系、空穴电流与栅极电流关系,掌握功率开关器件击穿机理,在此基础上,测试其灵敏度;根据灵敏度测试原理与微频通道衰减值周期检查原理,测量功率开关器件微频信号功率和微频通道衰减值,汇总微频通道衰减值和最后1次开关灵敏时的衰减值,得到其灵敏度。实验结果表明:所提测试技术在测量灵敏度过程中,平均测试误差为0.044 dB,仅平均花费9.61 ms,是一种高效、可靠的半导体GaN功率开关器件灵敏度测试技术。

• 单位
  石家庄职业技术学院; 河北地质大学