摘要
聚集诱导发光(AIE)的聚硅氧烷不含传统共轭基团,且其中的硅元素赋予了其优良的光物理性能和优异的生物相容性。近年来,我们制备了一系列含双键、羟基、胺基和环氧基的超支化和线性聚硅氧烷,发现其发光性能随结构的不同而改变,且具有一定的规律性,但对其发光机理缺乏深刻的认识。因此,探究并揭示聚硅氧烷的发光机理及结构与发光性能之间的关系具有很强的挑战性。本文综述了影响超支化聚硅氧烷发光性能的一系列因素,并利用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)对它的发光机理进行了阐释,提出了"硅桥强化发光"(SiEE)的概念。在此基础上,简述了聚硅氧烷的应用,并指出了其今后的研究方向。
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