平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究

作者：李永富; 唐恒敬; 李淘; 朱耀明; 李雪; 龚海梅

来源：光电子-激光, 2009, (12): 1580-1583.

DOI：10.16136/j.joel.2009.12.019

• 平面InGaAs红外探测器
• 扩散电流
• 产生-复合电流
• 电流密度
• 面积周长比 planar-type InGaAs infrared detector
• diffusion current
• G-R current
• current density
• perimeter-to-area ratio

采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,扩散区边缘的钝化是平面型InGaAs探测器的制备过程中非常重要的一环,而且Si3N4薄膜的钝化效果优于SiO2薄膜。室温下和-0.1V偏压下,采用Si3N4扩散掩膜的器件的暗电流密度约为20nA/cm2。

• 单位
  中国科学院研究生院; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所