腐蚀模板法获取高长径比β-Si3N4晶种的工艺参数研究

作者：袁帅; 郑彧^*; 李涤寒; 童亚琦; 张跃

来源：硅酸盐通报, 2020, 39(02): 561-567.

DOI：10.16552/j.cnki.issn1001-1625.20200228.004

• 腐蚀模板法
• β-Si3N4晶种
• 氮化硅流延基板

采用腐蚀模板法对氮化硅陶瓷薄板进行熔融碱腐蚀处理获取β-Si3N4晶种。研究了腐蚀介质、时间对晶粒形貌及分散性的影响。优化了超声、磁力搅拌、研磨三种晶粒剥离的方法,确认磁力搅拌的方法是最佳的剥离工艺。通过X射线衍射和扫描电子显微镜对产物进行了微观形貌观察及物相分析,结果显示获得的晶种为高纯度β-Si3N4,粒径范围为2～10μm,最高长径比可达10以上。

• 单位
  上海航天控制技术研究所; 北京航空航天大学; 北京中材人工晶体研究院有限公司