碘化汞(α-HgI_2)晶体生长及其性能表征

作者：许岗; 介万奇; 王领航

来源：人工晶体学报, 2008, (04): 795-799.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2008.04.005

• 碘化汞晶体
• 形貌转变
• XRD
• 近红外透过率
• I-V特性 mercuric iodide crystal
• morphologies variation
• NIR transmission
• I-V charactor

利用垂直两温区透明油浴炉,采用升华法成功生长了α-HgI2单晶体。通过对比不同生长阶段晶体生长界面,观察到HgI2晶体在气相生长中存在界面形貌转变。晶体生长初期的生长面呈棱面,然后逐渐转变为圆滑界面。利用XRD、透射光谱以及I-V测试对所生长晶体的性能进行了表征。XRD结果表明所生长的晶体为单相的α-HgI2晶体,晶体的生长方向为[001]。紫外-可见-近红外透过光谱分析发现,HgI2晶体的截至波长为580 nm,对应的禁带宽度为2.12 eV,近红外区内透过率约为45%。由于空穴的俘获及陷阱能级作用,在2307.5 nm和1731.4 nm处产生了两个明显的吸收峰。所生长的α-HgI2晶体电...

• 单位
  西北工业大学; 凝固技术国家重点实验室