Zn1-xMgxO/Cu2ZnSnS4异质结薄膜太阳能电池的仿真研究

作者：包乌吉斯古楞^*; 萨初荣贵

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(05): 337-342.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.05.005

• Zn1-xMgxO
• Cu2ZnSnS4
• 太阳能电池
• SCAPS-1D
• 禁带宽度

铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳能电池通常采用的缓冲层材料为有毒的半导体CdS,本文以禁带宽度可调且无环境污染的Zn1-xMgxO代替CdS。采用SCAPS-1D仿真软件,分析了Zn1-xMgxO/CZTS异质界面能带带阶、Zn1-xMgxO缓冲层材料载流子浓度和厚度对电池输出性能的影响。研究结果表明:当Zn1-xMgxO/CZTS异质界面导带带阶为0.1 eV、Zn1-xMgxO缓冲层材料载流子浓度为1018cm-3、厚度约50 nm时,能够获得最高效率的Zn1-xMgxO/CZTS薄膜太阳能电池。

• 单位
  内蒙古民族大学; 数理学院