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摘要
研究了BG51半导体辐射传感器的工作原理与特性,设计了高效的EMI排除方案,同时优化传感器的剂量率检测算法,形成高精度的剂量率检测方法。不同于传统的直线关系补偿的计算方式,传统法有着整量程误差大、反应慢、一致性差的缺陷,该方法在单位测量时间段内,根据不同脉冲计数特征,将不同的脉冲频率划分为多个区间,统计每个脉冲频率区间的计数,计算对应脉冲频率的参考辐射校准因子,使计算公式达成的换算曲线接近实际剂量值函数曲线,所得的辐射剂量率值更精确。
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研究了BG51半导体辐射传感器的工作原理与特性,设计了高效的EMI排除方案,同时优化传感器的剂量率检测算法,形成高精度的剂量率检测方法。不同于传统的直线关系补偿的计算方式,传统法有着整量程误差大、反应慢、一致性差的缺陷,该方法在单位测量时间段内,根据不同脉冲计数特征,将不同的脉冲频率划分为多个区间,统计每个脉冲频率区间的计数,计算对应脉冲频率的参考辐射校准因子,使计算公式达成的换算曲线接近实际剂量值函数曲线,所得的辐射剂量率值更精确。
