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摘要
本发明公开了一种GaN基纳米沟道高电子迁移率晶体管,主要解决现有技术短沟道效应严重,栅控能力差,漏电流和跨导较低的问题。其自下而上包括衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、栅、漏电极。其中GaN纳米沟道的两侧增设有AlGaN势垒层,使GaN纳米沟道被包裹在AlGaN势垒层内,在GaN纳米沟道的上方和两侧形成AlGaN/GaN异质结；栅电极位于AlGaN/GaN异质结的两侧和上方。本发明具有栅控能力好,饱和电流大及源漏电阻小的优点,可作为小尺寸的高速高频器件。
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