退火工艺对水热合成SnSe多晶材料热电性能的影响

作者：李培; 范胜杰; 王连军^*; 江莞

来源：人工晶体学报, 2019, 48(10): 1927-1932.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.10.024

• SnSe
• 热电性能
• 水热合成
• 退火

单晶SnSe是一种具有优异热电性能的新型中温热电材料,但是具有更广阔应用前景的多晶SnSe热电性能较低。采用水热法结合放电等离子烧结技术制备了p型SnSe多晶块体热电材料,利用XRD、FE-SEM、ZEM-3热电测试系统等研究了不同退火温度对SnSe多晶材料物相组成、微观结构和热电性能的影响。结果表明,合适的退火温度可以通过促进晶粒生长,减少晶格缺陷来调整载流子浓度和迁移率,提高材料的电导率,从而获得功率因子的显著提升。经过600℃退火处理后,SnSe多晶材料的电导率在773 K时最大值为3. 83μW/(cm·K2),但其热导率几乎保持不变,与未退火样品相比ZT值(773 K)从0. 56提高到0. 63。

• 单位
  东华大学; 纤维材料改性国家重点实验室