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摘要
单晶硅、碳化硅、氧化镓、氮化镓等半导体基片广泛应用于集成电路、功率器件和微传感器等半导体器件的制造。超精密磨削是半导体基片平整化加工和背面减薄加工的核心工艺技术，对半导体器件的加工效率及加工质量具有重要的影响。为了满足半导体器件的使用性能，半导体材料的种类逐渐增多，半导体基片的加工要求不断提高，对半导体基片超精密磨削技术不断提出新的挑战。为了实现半导体基片的高效率高质量磨削加工，需要对半导体基片超精密磨削理论、工艺、工具和装备全面深入的理解。围绕半导体基片超精密磨削加工的表面材料去除机理、表面质量及控制方法、高效低损伤磨削工艺和超精密磨削装备的国内外研究现状进行了系统的论述与总结，分析了目前半导体基片超精密磨削技术面临的难题及未来的发展趋势，为后续半导体基片超精密磨削技术的研究提供指导。
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