IGBT串联电压失衡机理研究

作者：赵景; 张赛

来源：现代电子技术, 2020, 43(20): 126-130.

DOI：10.16652/j.issn.1004-373x.2020.20.032

• IGBT串联使用
• 串联电压失衡
• 失衡因素分析
• 电压平衡方法
• 高压击穿
• 理论分析

在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作。因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与研究,针对造成电压失衡的影响因素进行理论分析,对IGBT串联电压失衡机理进行了较为深入的研究,并提出平衡串联IGBT串联动态电压的方法。通过分析得出引起串联IGBT动态电压失衡的根本原因有三方面:动态阻抗不一致导致的动态分压不一致;开关时刻及速度不一致;寄生电容引起的分流导致各级IGBT流过的电流不一致。

• 单位
  许昌电气职业学院