Pd插层NbSe_2化合物的制备、晶体结构和电学性质研究（英文）

作者：黄冲; 赵伟^*; 王东; 卜克军; 王思顺; 黄富强^*

来源：无机材料学报, 2020, 35(04): 505-512.

• Pd_xNbSe_2
• 过渡金属硫族化合物
• 晶体结构
• 超导

通过固相反应法合成一系列插层化合物Pd_xNbSe_2 (x=0～0.17)。它们与2H-NbSe_2相同,属于六方晶格,空间群为P6_3/mmc。Pd占据NbSe_2层间的八面体空位。随着Pd含量的增加,晶格常数c线性增大,而a几乎不变。X射线单晶衍射结果表明,Pd_(0.17)NbSe_2的晶格常数为a=b=0.34611(2)nm,c=1.27004(11)nm。每个Pd原子与六个Se原子键合形成[PdSe_6]八面体来连接相邻的Nb-Se层,使晶体结构变得更加稳定,从而提高化合物的热稳定性。电学测试表明,随着Pd含量的增加, Pd_xNbSe_2的剩余电阻比减小。此外,超导转变温度也随着Pd含量的增加而下降,说明Pd的引入不利于NbSe_2的超导态。

• 单位
  稀土材料化学及应用国家重点实验室; 中国科学院大学; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室