一种低漏电电源钳位电路的设计与研究

作者：刘瑞雪

来源：中国新技术新产品, 2018, (17): 140-142.

DOI：10.13612/j.cnki.cntp.2018.17.085

• 低漏电
• 静电保护
• 电源钳位电流
• MOS电容

本文分析了导致Mos电容栅氧化层漏电的原因,并提出了一种新型低漏电电源钳位电路,克服了传统晶体管构建Mos电容所带来的较大漏电情况。采用中芯国际65nm(1.0V)的工艺进行仿真实验的验证,Hspice仿真结果表明,所提出的新型电路在正常上电条件下,MOS电容的泄漏电流仅为9.98n A,而传统MOS电容漏电达3.61μA。