4H-SiC MOSFET交流特性的仿真和研究

作者：李国鑫

来源：电子技术与软件工程, 2021, (01): 108-110.

• 4H-SiCMOSFET
• 态密度
• 施主陷阱受主陷阱电容

本文通过二维数值模拟,从碳化硅MOSFET的结构中分离出P型和N型结构,同时考虑界面陷阱的影响,研究了SiO2/SiC界面态密度对C/V曲线的影响。

• 单位
  上海电力大学