双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺

作者：许高斌; 陈兴; 周琪; 王鹏; 常永嘉; 汪祖民

来源：2012-10-03, 中国, ZL201110197345.7.

本发明涉及双栅沟道导电类型可调单壁碳纳米管场效应晶体管及制备工艺。采用“由下至上”微纳制造技术生长制作工艺方式,结合沉积方法及模板－组装的集成技术来构筑所需的纳米结构管场效应晶体管,实现纳米结构的管场效应晶体管自下而上制造；借助纳米压印、反应离子刻蚀等手段获得特定纳米结构及花样的生长模板,再利用生长等手段在模板中实现纳米结构的可控生长与组装,实现在柔性衬底上制备单壁碳纳米管随机网络沟道电导和沟道导电类型可调双栅结构场效应晶体管。具有加工制备方法简单,可实现批量规模生产,有效克服了单根纳米管制备的器件人工组装、个体差异、器件性能不一致、定位难以及生产效率低等缺点。

• 单位
  合肥工业大学