本发明公开了一种SiC衬底转移石墨烯的退火工艺,采用高温退火的方式,修复衬底转移过程中产生的石墨烯缺陷,进一步去除转移过程中没能去除或是新引进的杂质。同时,高温退火还可以使衬底与石墨烯接触得到改善,建立预期的衬底影响,在石墨烯中引入禁带。最终使转移石墨烯表面更洁净,缺陷更少,石墨烯平整与SiC衬底接触更好。本发明由于采用在Ar气气氛中较低温度退火,有效的去除石墨烯表面吸附的水分子和其他杂质分子；由于采用高于1000℃的高退火温度,得以形成衬底上附着石墨烯与SiC衬底的有效接触。
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