负电子亲和半导体的二次电子发射（英文）

作者：刘**; 谢爱根^*; 董洪杰

来源：空间电子技术, 2022, 19(04): 30-49.

• 负电子亲和力
• 二次电子产额
• 概率
• 二次电子的平均逃逸深度
• 半导体

根据0.8keV≤Epomax≤5keV的负电子亲和(negative electron affinity, NEA)半导体二次电子发射(secondary electron emission, SEE)的特性，初级电子产额R,现有的次级电子产额δ的通用公式和实验数据，分别推导并实验证明了NEA金刚石的δ在0.5Epomax≤Epo≤10Epomax, GaN在2keV≤Epomax≤5keV, NEA金刚石的δ在0.8keV≤Epo≤3keV, GaN在0.8keV≤Epomax≤2keV的特殊公式；其中Epomax为δ达到最大值时的Epo,Epo为初级电子入射能。推导出了0.8keV≤Epomax≤5keV时NEA半导体的内部二次电子到达发射极表面后逃逸到真空中的概率B。还提出了计算0.8keV≤Epomax≤5keV NEA半导体1/α的方法；其中1/α为二次电子的平均逃逸深度。分析结果表明，B和1/α的理论研究有助于研究不同样品制备方法对NEA半导体中SEE的定量影响，从而生产出理想的NEA发射体，如NEA金刚石。

• 单位
  南京信息工程大学