退火对Cd_(1-x)Zn_xTe薄膜性质的影响

作者：江洪超; 金硕; 武莉莉; 张静全; 李卫; 黎兵; 曾广根; 王文武

来源：四川大学学报(自然科学版), 2013, (04): 842-848.

• Cd1-xZnxTe薄膜
• 退火
• 性质 Cd1-xZnxTe thin films
• annealing
• properties

本文用双源真空蒸发的方法制备了Cd1-xZnxTe薄膜,通过热探针、SEM、XRD及紫外-可见光透过谱等方法研究了不同退火条件对薄膜性质的影响.退火后Cd1-xZnxTe多晶薄膜的光学禁带宽度在1.54eV～1.68eV之间,且沿立方相(111)面择优生长.退火温度主要影响薄膜表面的粗糙度和平均晶粒尺寸,退火时间主要影响薄膜的平均晶粒尺寸.退火温度与时间对薄膜电学性质的影响较小.

• 单位
  四川大学