含缺陷的二维CuI光电性质的第一性原理计算

作者：宋娟; 贺腾^*

来源：原子与分子物理学报, 2022, 39(03): 74-78.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2022.032003

• 密度泛函理论
• 二维CuI结构
• 本征缺陷
• 电子结构
• 光学特征

基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuI的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuI的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;I和Cu缺陷的引入使2D CuI的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuI的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuI变为间接带隙半导体.光学性质计算结果表明本征2D CuI的静介电函数为2.47, I缺陷的引入对2D CuI的静介电函数影响较小,但是在Cu缺陷时2D CuI的静介电函数急剧增大.

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 贵州大学