SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究

作者：郑文景; 周万城; 罗发; 于新民

来源：材料工程, 2009, (11): 36-39.

• 化学气相沉积(CVD)
• SiC纤维
• C涂层
• 体电导率
• 拉曼光谱
• 介电性能 chemical vapor deposition(CVD)
• silicon carbide fiber
• carbon coating
• body conductivity
• Raman spectrum
• permittivity

采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响。采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析。结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω-1.cm-1升到6.289Ω-1.cm-1;SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150。实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关。认为...