摘要

采用直流磁控溅射法制备TiO2 薄膜 ,在不同温度下对薄膜进行退火 ,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况 .对TiO2 薄膜氧敏器件特性进行了测试 ,结果表明 ,在 4 0 0℃下灵敏度随氧分压增加最快 ,并且在 4 0 0℃具有最高的灵敏度 .得到的激活能为 0 4 1eV ,并对TiO2 薄膜氧敏器件的氧敏可逆性进行了讨论 .