基于应变调制型磁性隧道结的自动置位逻辑门电路

作者：徐立; 蔡理; 崔焕卿; 王森; 杨晓阔; 冯朝文

来源：微纳电子技术, 2018, 55(02): 84-90.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2018.02.002

• 应变调制型磁性隧道结(MTJ)
• 电路模型
• 或非(NOR)逻辑
• 与非(NAND)逻辑
• CMOS

建立了应变调制型磁性隧道结(MTJ)器件的HSpice电路仿真模型,分析了该器件的转换特性。基于所建立的模型并结合BSIM4 90 nm CMOS模型,设计了一种非易失性自动置位逻辑门电路。分析了4种组合输入电压作用下电路中MTJ磁阻的转变特性。对所设计电路的逻辑功能进行仿真分析,通过改变MTJ尺寸参数,得到了所设计电路两种规格下的输入和输出特性。仿真结果表明,该电路成功实现了或非(NOR)和与非(NAND)逻辑,验证了所设计电路功能的正确性。研究结果对今后基于应变调制型MTJ器件设计低功耗和非易失性集成电路具有重要意义。

• 单位
  空军工程大学理学院