高密度组装导致MCM芯片间热耦合效应增加,结温增加来自芯片自发热和热耦合效应。该文以调宽功放的多个功率管为研究对象,关注多芯片的热耦合效应,基于电学方法确定热阻矩阵,通过理论计算获得芯片稳态工作温度。并通过红外热像试验验证模型计算的结果。基于热阻矩阵模型分析不同条件下的芯片温升。
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