AlGaN异质结p-i-n型雪崩探测器

作者：和浩田; 李兰; 王璇伟; 邵振广; 于海林; 冯金福; 刘玉申

来源：常熟理工学院学报, 2017, 31(04): 8-11.

DOI：10.16101/j.cnki.cn32-1749/z.2017.04.003

• 雪崩探测器
• AlGaN
• 异质结

高增益AlGaN日盲雪崩探测器在国防安全与生命科学领域有重要的应用价值.本文通过引入Al0.2Ga0.8N/Al0.4Ga0.6N异质结设计,将雪崩电压从79.3 V降低到73 V,雪崩增益从1.9×106提高到4.8×106.通过数值模拟分析发现,异质界面极化电场与外加偏压方向一致,将高Al组分区域电场增强,从而降低了雪崩电压;虽然极化电场将低Al组分区域电场强度降低,但低Al组分区域离化系数大于高Al组分区域的离化系数约一个量级,空穴在高Al组分区域加速获得能量,在离化系数较高的低Al组分区域离化雪崩,提高了器件增益.

• 单位
  常熟理工学院; 电子工程学院