一种850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计

作者：丁锋; 张靖; 王品红; 田坤; 赵开梅

来源：半导体光电, 2013, (01): 56-58.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2013.01.013

• 垂直腔面发射激光器
• 量子阱
• 氧化孔径
• 阈值电流
• 斜率效率 vertical cavity surface emitting laser
• quantum well
• oxide aperture
• threshold current
• slope efficiency

采用PICS3D软件建立了850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850nm氧化限制型VCSEL。在10μm氧化孔径下,与商用的850nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3W/A提升到0.65W/A。

• 单位
  重庆邮电大学