摘要
本发明涉及一种半导体光敏剂AgBiS-2量子点及其制备方法。其技术方案是:按照银盐∶铋盐的物质的量的比为1∶(1~4)混合,得混合料;再按浓度为0.19~0.21mol/L,将混合料与油胺混合,在氮气气氛、100~120℃和500~800r/min的条件下搅拌,得含Ag~+和Bi~(3+)的混合前驱体溶液。按浓度为0.39~0.41mol/L,将升华硫和1-十八烯混合,于相同条件下搅拌,制得硫的前驱体溶液。在190~210℃和氮气气氛条件下,按照含Ag~+和Bi~(3+)的混合前驱体溶液∶硫的前驱体溶液的体积比为1∶(0.9~1.1)混合,在500~800r/min条件下搅拌8~10min,制得半导体光敏剂AgBiS-2量子点。本发明所制制品尺寸可控、表面缺陷少和光响应能力优良,有利于在量子点敏化太阳能电池中的应用。
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