Ⅲ-Ⅴ族半导体异质界面上负施主中心

作者：张晓燕; 董鸿飞

来源：赤峰学院学报(自然科学版), 2012, (1): 24-25.

DOI：10.3969/j.issn.1673-260X.2012.01.011

• 施主中心
• 束缚能
• 电子-声子相互作用

讨论了Ⅲ-Ⅴ族半导体异质界面上负施主中心的能量随磁场的变化情况，计算中利用变分的方法，得到描述电子内外轨道参量随磁场的变化情况，同时计及电子与界面声子的相互作用，计算此界面上负施主角动量L=-1三重态的本征能量和束缚能。研究表明界面声子对施主能量的影响显著。

• 单位
  内蒙古工业大学; 赤峰学院