一种无负磁耦合效应的自卷曲电感的制备方法

作者：黄文; 张子涵; 郭乙龙; 周志坤; 桑磊

来源：2023-07-31, 中国, CN202310949335.7.

本发明属于电子器件制造技术领域,具体涉及一种无负磁耦合效应的自卷曲电感的制备方法。制备操作步骤主要包括：(1)依次在衬底上沉积牺牲层、氧化保护层、双频氮化硅应变层,第一次光刻确定操作台面；(2)第二次光刻沉积金属导电层；(3)第三次光刻在相邻电感单元上打孔,并在孔内填充金属,形成连接金属柱；(4)第四次光刻开刻蚀窗口,通过干法刻蚀或湿法刻蚀,刻蚀牺牲层,利用双频氮化硅的薄膜应力,触发卷曲得到无负磁耦合的自卷曲电感。本发明无负磁耦合效应的自卷曲电感利用打孔工艺,设计出新结构,改变相邻电感单元的电流方向,进而消除磁耦合效应。相比于经典单向卷曲结构电感值提高了25％,与双向卷曲结构相比电感值提高了12％。

• 单位
  合肥工业大学