一种快速瞬态响应无片外电容LDO

作者：王超; 姚若河; 邝国华

来源：微电子学, 2018, 48(05): 625-629.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170509

• 无片外电容
• 线性稳压器
• 瞬态增强
• 快速瞬态响应

针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92～3.60V、输出电压为1.8V的LDO。结果表明,负载在1μs内从0变化到100mA时,输出最大下冲电压为37.2mV,响应时间为1.12μs;负载在1μs内从100mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1mV,响应时间为1.1μs。

• 单位
  广东合微集成电路技术有限公司; 华南理工大学