基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

作者：姚盛秾; 韩金刚^*; 李霞光; 范辉; 汤天浩

来源：电源学报, 2019, 17(03): 83-90.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.83

• 增强型氮化镓晶体管(GaN HEMT)
• 半桥LLC
• 软开关
• 损耗分析

较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进。为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构。以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间。在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.59%。最后对变换器的损耗来源进行分析,损耗的理论计算值接近实际测量值,证明了方法具有一定的实用性。

• 单位
  上海电机学院; 电气学院; 上海海事大学