光刻永恒

作者：程天风^*

来源：半导体技术, 2005, (06): 23-27.

• 浸没式光刻
• 高折射率液体
• 偏振光源辅助成像
• TM
• TE

由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案。如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术。如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发。实验室的数据也证实了这些理论。光刻技术可望继续被延伸到2010年。