<正>随着GaN基电子功率转化器的功率密度增加和尺寸减小,器件的散热成为实际应用的关键问题。金刚石在所有天然材料中具有最高的热导率,可用于与GaN集成以消散AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)通道产生的热量。目前的金刚石基GaN晶片(GaN-on-diamond)制备技术包括三种策略:GaN与金刚石结合、金刚石在GaN上的外延生长和GaN在金刚石上的外延生长。