P型SiGe Core-shell FinFET器件性能的仿真研究

作者：杨至真; 闫江; 吴振华

来源：中国集成电路, 2022, 31(03): 33-53.

• FinFET
• SiGe
• Core-Shell
• 饱和电流
• 空穴浓度

随着传统的平面金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)特征尺寸逐渐缩小到20nm以下，栅极氧化物厚度减小，栅极对沟道区域的控制能力减弱。而非传统的多栅结构器件对电荷有很好的控制能力，改善因等比例缩小所引起的各种效应。本文基于GTS TCAD仿真软件，对SiGe Core-shell FinFET器件的内外层沟道SixGe1-x组分配比进行仿真。仿真结果表明，当inner Ge组分为0,outer Ge组分为0.5时，器件性能获得最大收益，并将SiGe Core-shell FinFET器件与Si-FinFET、Ge-FinFET器件进行比较。研究结果表明，SiGe Core-shell FinFET器件Idsat相比于Si-FinFET有2.3倍的提升，亚阈值摆幅(Subthreshold swing,SS)大约有30mV/dec的下降。

• 单位
  北方工业大学; 中国科学院微电子研究所