LSMO缓冲层对PTZT铁电薄膜性能的影响

作者：杨卫明; 彭刚; 李建军; 于军

来源：华中科技大学学报(自然科学版)科技大学, 2008, (08): 56-58.

DOI：10.13245/j.hust.2008.08.013

• 电子材料
• 铁电薄膜
• 射频磁控溅射
• 铁电性能

采用射频磁控溅射法在Pt/TiOx/SiO2/Si基片上制备了以La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)为缓冲层的Pb1.2(Ta0.01Zr0.3Ti0.69)O3(PTZT)薄膜,研究了LSMO层及沉积温度对PTZT薄膜性能的影响.XRD分析表明直接在基片上和在300℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜均为随机取向,而在600℃沉积的LSMO缓冲层上生长的PTZT薄膜为(111)择优取向.铁电特性分析表明LSMO缓冲层明显改善了PTZT薄膜的性能:在600℃沉积的LSMO缓冲层上制备的PTZT薄膜电容在5 V电压(电场约125 kV/cm)下具有饱和电滞回线,剩余极化Pr、矫顽场Ec分别为50.5μC/cm2和55 kV/cm;其疲劳特性也得到了显著改善.

• 单位
  华中科技大学