纳米级CMOS集成电路的单粒子效应及其加固技术

作者：赵元富; 王亮; 岳素格; 孙永姝; **; 刘琳; 刘家齐; 王汉宁

来源：电子学报, 2018, 46(10): 2511-2518.

• 集成电路
• 纳米级
• 单粒子效应
• 抗辐射加固

空间应用的集成电路受到辐射效应的影响,会出现瞬态干扰、数据翻转、性能退化、功能失效甚至彻底毁坏等问题.随着器件特征尺寸进入到100nm以下(以下简称纳米级),这些问题的多样性和复杂性进一步增加,单粒子效应成为集成电路在空间可靠性应用的主要问题,给集成电路的辐射效应评估和抗辐射加固带来了诸多挑战.本文以纳米级CMOS集成电路为研究对象,结合近年来国内外的主要技术进展,介绍研究团队在65nm集成电路单粒子效应和加固技术方面的研究成果,包括首次提出的单粒子时域测试和分析方法、单粒子多节点翻转加固方法和单粒子瞬态加固方法等.

• 单位
  北京微电子技术研究所