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摘要
随着大规模集成电路的发展,芯片面积逐渐增大引起器件内部腔体体积的增加,使水汽、氢气含量变得更难控制,由于腔内水汽和氢气的产生机理不同,单一控制方法难以达到理想的结果,针对此类问题,研究一种密封器件封装腔体内部气氛的控制方法,采用多重手段对各项影响要素进行逐一控制,根据水汽和氢气的来源对管壳盖板原材料进行高温预烘焙处理以清除氢气,在密封前对待封盖的组装半成品进行预烘焙以清除水汽,并在密封后、筛选试验后和长期放置后进行内部气氛检测。对比结果表明,采用新方法控制的密封器件内部的水汽、氢气的含量均控制在500ppm以下,与传统方法相比有大幅度的改善。
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单位中国电子科技集团公司
