磁控溅射法制备ZAO薄膜的性能分析

作者：张宇

来源：电大理工, 2022, (01): 26-30.

DOI：10.19469/j.cnki.1003-3297.2022.01.0026

• ZAO薄膜
• 磁控溅射
• 衬底温度
• 电阻
• 透光率

ZAO薄膜具有电导率高、光学透射率高的优点，且易掺杂、制备成本低廉，是 ZnO基透明导电薄膜的重要研究方向。采用磁控溅射法制备ZAO薄膜，利用 X 射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、UV-8000 型紫外-可见分光光度计和四探针测试仪等设备研究了 Al 掺杂量、衬底温度对ZAO薄膜结构、形貌、光电性能的影响。结果表明，ZAO薄膜晶粒均以 c 轴 （002） 方向为主择优取向生长，所有的ZAO薄膜均为纤锌矿结构，薄膜表面平整。随着Al掺杂量的升高，ZnO的（002）衍射峰强度逐渐减弱至消失。薄膜方块电阻随着衬底温度升高先减小后缓慢增大，其中衬底温度为200 ℃时，方块电阻约为 3.64×106Ω/□，导电性最好。而且该薄膜具有较好的可见光范围内平均透过率，约为 85%。

• 单位
  辽宁广播电视大学