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摘要
隧穿场效应晶体管因其带带隧穿的工作机制、低的亚阈值摆幅、低的泄漏电流而成为当前主要器件领域研究的一个热点，但其开态电流低。因此，提出一种新型异质三栅隧穿场效应晶体管，器件的低栅和靠近源区的顶栅的功函数为4.15 eV，靠近漏区的顶栅的功函数为5.25 eV。器件的源区采用窄能隙材料砷化铟以提升器件在源-沟结的隧穿率，从而提升器件的开态电流以及器件的跨导特性。同时，器件的漏-源电容比较小，提升器件的增益带宽乘积、截止频率、跨导频率乘积等射频特性。研究表明，该器件可以应用到未来的低功耗及射频领域。
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单位电子工程学院; 安徽科技学院
