半哑铃型缺陷地结构带阻滤波器

作者：李澜; 吴良威; 朱亚鹏; 张正平

来源：贵州大学学报(自然科学版), 2017, 34(05): 59-61.

DOI：10.15958/j.cnki.gdxbzrb.2017.05.13

• 微带线
• 缺陷地结构
• 带阻滤波器

提出了一种半哑铃型缺陷地结构的带阻滤波器。在传统哑铃型缺陷地结构的基础上,设计了半哑铃型缺陷地结构单元,实现了带阻特性。相较于传统的哑铃型DGS结构,半哑铃型DGS结构的阻带衰减更陡峭,阻带宽度更理想。文中分析了半哑铃型DGS结构单元的特性,得到最佳性能的仿真模型。对两个半哑铃型DGS单元级联构成的带阻滤波器进行仿真,结果表明,滤波器的带内最大阻带深度达到45 d B,-10 d B的阻带宽度达11.5 GHz(10.1 GHz21.6 GHz)。

• 单位
  贵州大学; 东南大学; 毫米波国家重点实验室