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摘要
三元过渡金属硫属化物是一类兼具低维结构和强关联电子的系列化合物,依其不同构成呈现出丰富多彩的电子基态.在硫属元素(S,Se,Te)中,Te具有比S和Se更小的电负性和更大的原子质量,因而过渡金属碲化物呈现出与硫化物和硒化物不同的晶体结构、电子结构和物理性质.三元过渡金属碲化物中陆续被发现新超导体Ta4Pd3Te16和Ta3Pd3Te14,拓扑狄拉克半金属TaTMTe5 (TM=Pd,Pt,Ni)等,进一步拓展了碲化物家族的物性研究,为该材料体系的潜在应用探究奠定了基础.本文首先介绍了利用自助熔剂法和化学气相输运法生长4种三元钯基碲化物(Ta4Pd3Te16,Ta3Pd3Te14,TaP dTe5和Ta2Pd3Te5)单晶的详细方案,并给出了化学气相输运法生长Ta2Pd3Te5的化学反应方程式.生长出的Ta4Pd3Te16和Ta3Pd3Te14晶体的超导转变宽度仅分别为0.57 K和0.13 K,通过电阻数据拟合,得到了拓扑绝缘体Ta2Pd3Te5晶体的能隙值为23.37 meV.最后,本文对利用自助熔剂法生长上述4种三元钯基碲化物晶体的生长条件和规律进行了对比分析和讨论,可以为采用类似方法生长其他过渡金属碲化物晶体提供启发和借鉴.
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