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摘要
局部混压PC B设计越来越复杂化。本篇论文对几种不同复杂结构设计的局部混压工艺进行进一步研究,成功开发出高频子板L2对应FR 4 PP层间、高频子板L2对应FR 4芯板之间等多种复杂结构的局部混压工艺,各项关键指标均已满足要求,如可靠性可耐受4次无铅回流及6次热应力测试,交界位平整度≤10 mm。
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局部混压PC B设计越来越复杂化。本篇论文对几种不同复杂结构设计的局部混压工艺进行进一步研究,成功开发出高频子板L2对应FR 4 PP层间、高频子板L2对应FR 4芯板之间等多种复杂结构的局部混压工艺,各项关键指标均已满足要求,如可靠性可耐受4次无铅回流及6次热应力测试,交界位平整度≤10 mm。
