摘要
为了探讨脱氢表雄酮硫酸酯对地佐环平所致记忆小鼠的作用及对PC12细胞钙离子的影响。本研究采用地佐环平(0.15mg.kg-1,ip)造成小鼠记忆损伤模型,利用被动逃避实验评价小鼠记忆成绩。培养的PC12细胞用Fura-2/AM负载,用荧光分光光度计测量PC12细胞钙离子变化。在被动逃避实验中,地佐环平造成小鼠记忆损伤,脱氢表雄酮硫酸酯(10、20mg.kg-1,sc)预处理能减少跳台错误次数(P<0.01),延长跳台潜伏期(P<0.01)和避暗潜伏期(P<0.01)。NMDA刺激的PC12细胞模型[Ca2 ]i明显增高(P<0.05),脱氢表雄酮硫酸酯(100μmol.L-1)预处理后与模型组...
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