以一种高压电源的前置稳压电路作为研究对象,重点分析稳压控制电路的抗中子抗辐射能力。对导致中子辐照前后输出电压变化量的因素进行分析,并对关键元器件晶体管进行辐照效应分析和试验验证,提出了晶体管优化和采用达林顿晶体管结构2种加固措施。通过电路仿真和制作样机,得到在1 Me V等效中子2×1013 n/cm2中子注量后的仿真和实测结果与理论分析值相吻合,验证了抗辐射加固措施的有效性。
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