花束BN纳米囊分级结构的制备及其生长机理

作者：吉钰纯; 廖和杰; 谷云乐; 郑国源; 王吉林^*; 何金云; 龙飞

来源：材料科学与工程学报, 2019, 37(05): 784-789.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2019.05.017

• 氮化硼
• 纳米囊
• 自蔓延高温合成
• 退火
• 空心结构

使用镁粉和氧化硼粉为原材料,通过自蔓延高温合成(SHS)辅助退火法制备出六方氮化硼(h-BN)材料。对产物的形貌、结构、物相、化学组成和光电性能进行表征分析。研究表明:BN样品呈新颖的花束纳米囊状分级结构,花束平均直径约为1μm。组成花束结构的每一个BN纳米锥为中空结构,平均长度和壁厚分别约为500和40nm,样品的光学带隙为5.62eV。对花束BN纳米囊分级结构的形成起关键影响作用的工艺参数是原料的配比。提出了花束BN纳米囊分级结构在制备过程中可能发生的化学反应过程及其生长机理。

• 单位
  有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室; 桂林理工大学; 武汉工程大学