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摘要
本发明属于宽谱光探测领域,公开了一种基于石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结的光电二极管及其制备方法和应用,该光电二极管的结构为石墨烯/二碲化钨/锗混维异质结。该光电二极管是先在Ge片上生长一层绝缘层薄膜,在绝缘层薄膜上刻蚀获得Ge窗口,在该窗口边缘两侧光刻显影电极图案并沉积金属得到源电极和漏电极,将WTe-2纳米片转移到Ge窗口上,再将Gr纳米片转移至WTe-2纳米片上形成Gr/WTe-2/Ge混维异质结,惰性气体条件下,在100～150℃退火处理制得。该光电二极管在532～2200nm波长范围内具有优异的自驱动光电响应性能,高光灵敏度和快速响应时间,可用于波段宽谱光电探测器或红外成像等领域。
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