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摘要
基于采取不同加固措施的28 nm体硅CMOS工艺的触发器链，开展了中能质子对纳米级电路单粒子翻转(SEU)效应影响的研究。选取20 MeV、40 MeV、60 MeV以及100 MeV质子对电路进行辐照，得到相关的SEU截面，结果显示，随着入射质子能量的增加，SEU截面增加，并在60 MeV质子能量点附近达到饱和，翻转截面接近8×10-14cm-2/bit。对采取了不同加固方法的触发器链的试验数据进行分析对比，可以看到，单独的版图加固措施只能稍微降低翻转率；DICE结构可以将翻转截面降低一个数量级，电路面积增加一倍左右；时间冗余延迟+DICE的方法基本可以使电路不发生翻转，但电路面积大大增加且造成一定的延迟。
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单位西北核技术研究所; 中国电子科技集团公司第五十八研究所
